Научная сессия «Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем»
28.11.2018
26 ноября Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с отделением нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук и консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» под председательством генерального директора АО «НИИМЭ», члена Президиума РАН академика Г.Я. Красникова провел в Российской академии наук научную сессию «Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем»
В работе сессии приняли участие более 60 научных сотрудников академических институтов, исследовательских центров и высших учебных заведений, в том числе представители НИИМЭ, ФТИАН РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИФП СО РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИОФ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИФТТ РАН, ИПТМ РАН, ИФМ РАН, ИСВЧПЭ РАН, СПбАУ РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИГХ СО РАН, МФТИ, НИТУ «МИСиС», МГУ им. М.В. Ломоносова, НИУ «МИЭТ», НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ, МНИТИ, и др.
На научной сессии было заслушано 12 докладов:
1. Д.ф.-м.н. Владимир Павлович Попов (ИФП СО РАН), д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН РАН) «КНИ-структуры с ультратонкими слоями оксидов гафния и алюминия».
2. Академик РАН Юрий Васильевич Гуляев, чл.-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН), к.ф.-м.н. Дмитрий Владимирович Калябин (МФТИ), к.ф.-м.н. Александр Владимирович Садовников (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, СГУ), к.т.н. Ансар Ризаевич Сафин (ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ») «Гетероструктуры на основе тяжелых металлов/ферро- или антиферромагнетик для элементной базы вне КМОП».
3. Д.т.н. Константин Анатольевич Воротилов (РТУ МИРЭА) «Химическое осаждение из растворов: материалы и применения».
4. Д.х.н. Петр Геннадьевич Сенников, д.х.н. Андрей Дмитриевич Буланов (ИХВВ РАН) «Моноизотопный кремний-28 — перспективный материал для практической реализации квантового компьютера».
5. Академик РАН Г.Я. Красников, доктор технических наук Е.С. Горнев, кандидат технических наук О.М. Орлов (АО «НИИМЭ»), кандидат физико-математических наук А.М. Маркеев, кандидат физико-математических наук А.Г. Черникова, М.Г. Козодаев, К.В. Егоров, Д.С. Кузьмичев, Д.В. Негров, кандидат физико-математических наук А.В. Зенкевич (МФТИ), доктор физико-математических наук В.А. Гриценко, кандидат физико-математических наук Т.В. Перевалов (ИФП СО РАН), Dr. C.S. Hwang (Seoul National University, Korea) «Разработка основ КМОП-совместимой технологии резистивной (ReRAM) и сегнетоэлектрической (FeRAM) памяти на новых материалах».
6. Кандидат физико-математических наук С.В. Ковешников (ИПТМ РАН) «Современное состояние и перспективы развития твердотельной электроники на основе алмаза и алмазоподобных материалов».
7. Доктор технических наук С.А. Гамкрелидзе (ИСВЧПЭ РАН) «Приборные применения соединений А3В5».
8. Член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев, доктор физико-математических наук К.В. Руденко, кандидат физико-математических наук А.В. Мяконьких (ФТИАН РАН) «Продвинутые технологии глубокого анизотропного травления структур в кремнии для микроэлектронных применений».
9. Академик РАН Г.Я. Красников, доктор технических наук Е.С. Горнев, А.А. Резванов (АО «НИИМЭ») «Перспективные материалы для микроэлектроники и их применение».
10. Кандидат технических наук С.Ю. Шаповал (ИПТМ РАН) «Разработка технологии изготовления мощных, высокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия».
11. Кандидат технических наук О.А. Бузанов, кандидат физико-математических наук А.Н. Забелин, С.А. Сахаров (ОАО «Фомос-Материалс») «Пьезоэлектрические и сцинтилляционные монокристаллы российского производства».
12. Доктор физико-математических наук Р.Б. Моргунов (ФГБОУ ВО «ТГТУ»), доктор физико-математических наук О.В. Коплак (ИПХФ РАН) «Магнитная релаксация в спиновых вентилях и сенсоры на их основе».
При подведении итогов научной сессии академик РАН Г.Я. Красников отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил надежду на усиление сотрудничества между организациями и предприятиями в области развития отечественной элементной базы и материалов для ее создания.
В работе сессии приняли участие более 60 научных сотрудников академических институтов, исследовательских центров и высших учебных заведений, в том числе представители НИИМЭ, ФТИАН РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИФП СО РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИОФ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИФТТ РАН, ИПТМ РАН, ИФМ РАН, ИСВЧПЭ РАН, СПбАУ РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИГХ СО РАН, МФТИ, НИТУ «МИСиС», МГУ им. М.В. Ломоносова, НИУ «МИЭТ», НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ, МНИТИ, и др.
На научной сессии было заслушано 12 докладов:
1. Д.ф.-м.н. Владимир Павлович Попов (ИФП СО РАН), д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН РАН) «КНИ-структуры с ультратонкими слоями оксидов гафния и алюминия».
2. Академик РАН Юрий Васильевич Гуляев, чл.-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН), к.ф.-м.н. Дмитрий Владимирович Калябин (МФТИ), к.ф.-м.н. Александр Владимирович Садовников (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, СГУ), к.т.н. Ансар Ризаевич Сафин (ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ») «Гетероструктуры на основе тяжелых металлов/ферро- или антиферромагнетик для элементной базы вне КМОП».
3. Д.т.н. Константин Анатольевич Воротилов (РТУ МИРЭА) «Химическое осаждение из растворов: материалы и применения».
4. Д.х.н. Петр Геннадьевич Сенников, д.х.н. Андрей Дмитриевич Буланов (ИХВВ РАН) «Моноизотопный кремний-28 — перспективный материал для практической реализации квантового компьютера».
5. Академик РАН Г.Я. Красников, доктор технических наук Е.С. Горнев, кандидат технических наук О.М. Орлов (АО «НИИМЭ»), кандидат физико-математических наук А.М. Маркеев, кандидат физико-математических наук А.Г. Черникова, М.Г. Козодаев, К.В. Егоров, Д.С. Кузьмичев, Д.В. Негров, кандидат физико-математических наук А.В. Зенкевич (МФТИ), доктор физико-математических наук В.А. Гриценко, кандидат физико-математических наук Т.В. Перевалов (ИФП СО РАН), Dr. C.S. Hwang (Seoul National University, Korea) «Разработка основ КМОП-совместимой технологии резистивной (ReRAM) и сегнетоэлектрической (FeRAM) памяти на новых материалах».
6. Кандидат физико-математических наук С.В. Ковешников (ИПТМ РАН) «Современное состояние и перспективы развития твердотельной электроники на основе алмаза и алмазоподобных материалов».
7. Доктор технических наук С.А. Гамкрелидзе (ИСВЧПЭ РАН) «Приборные применения соединений А3В5».
8. Член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев, доктор физико-математических наук К.В. Руденко, кандидат физико-математических наук А.В. Мяконьких (ФТИАН РАН) «Продвинутые технологии глубокого анизотропного травления структур в кремнии для микроэлектронных применений».
9. Академик РАН Г.Я. Красников, доктор технических наук Е.С. Горнев, А.А. Резванов (АО «НИИМЭ») «Перспективные материалы для микроэлектроники и их применение».
10. Кандидат технических наук С.Ю. Шаповал (ИПТМ РАН) «Разработка технологии изготовления мощных, высокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия».
11. Кандидат технических наук О.А. Бузанов, кандидат физико-математических наук А.Н. Забелин, С.А. Сахаров (ОАО «Фомос-Материалс») «Пьезоэлектрические и сцинтилляционные монокристаллы российского производства».
12. Доктор физико-математических наук Р.Б. Моргунов (ФГБОУ ВО «ТГТУ»), доктор физико-математических наук О.В. Коплак (ИПХФ РАН) «Магнитная релаксация в спиновых вентилях и сенсоры на их основе».
При подведении итогов научной сессии академик РАН Г.Я. Красников отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил надежду на усиление сотрудничества между организациями и предприятиями в области развития отечественной элементной базы и материалов для ее создания.