Прошло заседание Научного совета ОНИТ РАН по теме «Элементная база современных СБИС»
15 февраля в Российской академии наук очно и в формате видеоконференции состоялось заседание Научного Совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме: «Элементная база современных СБИС».
Во вступительном слове Председатель Совета, президент РАН, генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников отметил существенную роль теоретической разработки и практической реализации элементной базы современных СБИС.
В заседании приняли участие 27 из 54 членов Бюро Совета и членов Совета, а также 101 приглашенный ученый и специалист из 82 организаций и их подразделений. В обсуждении повестки дня участвовало 24 человека.
Было заслушано 11 докладов:
1. академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич (ФИАН, НИУ МИЭТ, АО «НИИМЭ»), к.ф.-м.н. Шубин Николай Михайлович (ФИАН, АО «НИИМЭ»). Квантовые транзисторы: от гетероструктур к гетеромолекулам.
2. академик РАН Чаплыгин Юрий Александрович, д.т.н. Королёв Михаил Александрович, к.т.н. Красюков Антон Юрьевич (НИУ МИЭТ). Беспереходный МОП-транзистор со слаболегированным каналом.
3. к.ф.-м.н. Кинёв Николай Вадимович, д.ф.-м.н. Кошелец Валерий Павлович, академик РАН Никитов Сергей Аполлонович (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Сверхпроводниковые устройства для приема и обработки информации.
4. д.ф.-м.н. Гриценко Владимир Алексеевич (ИФП СО РАН). Энергонезависимая память на кремнии.
5. д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович (ИФП СО РАН). Активные и пассивные компоненты СБИС вблизи пределов миниатюризации.
6. д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич, к.ф.-м.н. Вьюрков Владимир Владимирович (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Туннельные транзисторы – основа быстродействующих интегральных схем с низким энергопотреблением (HP ULP).
7. д.ф.-м.н. Лебедев Александр Александрович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе). Газовые и биосенсоры на основе структур графен/SiC.
8. д.ф.-м.н. Обухов Илья Андреевич (АО «НПП «Радиотехника»). Цифровая электроника на основе квантовых транзисторов.
9. д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич, к.ф.-м.н. Гуляев Дмитрий Владимирович (ИФП СО РАН). Фотонные интегральные схемы на InP.
10. к.ф.-м.н. Черникова Анна Георгиевна (МФТИ). Модификация границ раздела с электродами для улучшения функциональных свойств сегнетоэлектрических конденсаторов на основе Hf0.5Zr0.5O2.
11. д.ф.-м.н. Итальянцев Александр Георгиевич (АО «НИИМЭ»). Физика элементов хранения современной энергонезависимой памяти.
Академик РАН Горбацевич Александр Алексеевич сообщил, что одной из наиболее актуальных проблем современной микро- и наноэлектроники, связанных с разработкой новой элементной базы, остается радикальное снижение энергопотребления.
При подведении итогов заседания заместитель председатель Совета, член-корреспондент РАН Е.С. Горнев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов, выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования элементной базы современных СБИС.