В РАН состоялось заседание Научного Совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».
14 апреля состоялось заседание Научного Совета ОНИТ РАН по теме «Технологии микроэлектроники – 1»
Заседание прошло в смешанном формате – очно и онлайн. Провел заседание председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников.
Во вступительном слове при открытии заседания председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников отметил существенную роль развития технологий микроэлектроники на сегодняшний день.
В рамках Научного совета 169 участников заслушали 12 докладов:
1. д.ф.-м.н. Чхало Николай Иванович, член-корр. РАН Салащенко Николай Николаевич (ИФМ РАН – филиал ИПФ РАН). Современное состояние и перспективы развития EUV литографии.
2. д.ф.-м.н. Рощупкин Дмитрий Валентинович (ИПТМ РАН). Синтез пьезоэлектрических и сегнетоэлектрических кристаллов.
3. д.т.н. Бородин Алексей Владимирович (ФГУП ЭЗАН), очно член-корр. РАН Бородин Владимир Алексеевич (ФГУП ЭЗАН, ИФТТ РАН), к.ф.-м.н. Юдин Михаил Викторович, к.ф.-м.н. Францев Дмитрий Николаевич (ФГУП ЭЗАН). Оборудование, выпускаемое и разрабатываемое ФГУП ЭЗАН, для выращивания монокристаллов, синтеза и термообработки материалов.
4. д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович (ИФП СО РАН). КНИ и КНС структуры для электроники повышенной надежности.
5. д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич, к.ф.-м.н. Мяконьких Андрей Валерьевич, член-корр. РАН Лукичев Владимир Федорович (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Технологии и оборудование плазменно-иммерсионной ионной имплантации для ультрамелкого высокодозового легирования приборных структур микроэлектроники.
6. к.ф.-м.н. Мяконьких Андрей Валерьевич, Кузьменко Виталий Олегович, д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Атомно-слоевое осаждение (ALD) и атомно-слоевое травление (ALE) для наноэлектроники уровня от 45 нм до 10 нм.
7. д.т.н. Маркеев Андрей Михайлович (МФТИ). (название уточняется) Процессы атомно-слоевого осаждения.
8. д.т.н. Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, к.т.н. Гнатюк Дмитрий Леонидович, Бугаев Александр Сергеевич, к.т.н. Павлов Александр Юрьевич, к.т.н. Матвиенко Ольга Сергеевна, Галиев Ринат Радифович (ИСВЧПЭ РАН). Развитие технологий СВЧ электроники в ИСВЧПЭ РАН на современном этапе.
9. д.ф.-м.н. Амиров Ильдар Искандерович (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН), д.ф.-м.н. Руденко Константин Васильевич (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Глубокое травление кремния в технологии МЭМС.
10. к.т.н. Шаповал Сергей Юрьевич (ИПТМ РАН), Полушкин Евгений Анатольевич (АО «НИИМЭ», ИПТМ РАН), Ковальчук Анатолий Викторович (ИПТМ РАН). Некоторые особенности применения планарной и объемной нанолитографий в наномеханике, сенсорной механике и оптике.
11. д.ф.-м.н. Цацульников Андрей Федорович (НТЦ микроэлектроники РАН), к.ф.-м.н. Лундин Всеволод Владимирович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе), член-корр. РАН Устинов Виктор Михайлович (НТЦ микроэлектроники РАН). Технология и отечественное оборудование МОС-гидридной эпитаксии для выращивания III-N гетероструктур для микроэлектроники.
12. д.ф.-м.н. Зайцев Сергей Иванович, к.ф.-м.н. Свинцов Александр Александрович (ИПТМ РАН). Опыт ИПТМ РАН в разработке и создании установок и программного обеспечения нанолитографии.
В заключительном слове председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников пригласил участников на продолжение заседания по теме «Технологии микроэлектроники – 2». 21 апреля в очно-дистанционном формате в этом же зале и подведение общих итогов двух заседаний.