История

Разработана отечественная операционная система для SIM-карт. Помимо телекоммуникационных приложений она содержит криптографические приложения для использования в устройствах Интернета вещей, а также реализует технологию Мобильной Усиленной Квалифицированной Электронной Подписи.

Заключен ряд государственных контрактов на выполнение работ по разработке и освоению производства материалов для микроэлектронного производства. Физико-химической лабораторией НИИМЭ разработаны и аттестованы 22 методики измерений особо чистых материалов.

В августе 2023 года Александр Сергеевич Кравцов назначен на должность Генерального директора АО "НИИМЭ"; Президент Российской академии наук, академик РАН Геннадий Яковлевич Красников назначен научным руководителем АО «НИИМЭ».

Разработаны и внедрены в серийное производство технологии изготовления интерпозеров и 3D-конденсаторов на пластинах кремния, не имеющие аналогов в России.

20 сентября генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Геннадий Яковлевич Красников был избран президентом Российской академии наук.

Целевой поисковой лабораторией исследования нейроморфных систем АО «НИИМЭ» разработана платформа активного экзоскелета руки с нейросетевым мышечным управлением для решения медицинских, индустриальных, спасательных и специальных задач.

АО «НИИМЭ» заняло первое место в первой Народной премии портала «Зеленоград.ру» в номинации «Работодатель года». Учебный центр «НИИМЭ» вошел в рейтинг ТОП-10 номинации «Образовательный проект года».

АО «НИИМЭ» признано одним из лучших работодателей России по версии крупнейшего российского HR-портала HeadHunter. Компания вошла в рейтинг ТОП-100 «Лучших работодателей России» среди компаний средней численности, а в разделе рейтинга «Наука и образование» НИИМЭ занял второе место. Всего в рейтинге приняло участие более 900 российских компаний.

НИИ молекулярной электроники стал лауреатом премии «ТехноХод 2021» ОЭЗ «Технополис Москва» в номинации «ТехноПрофи», в которой были представлены наиболее яркие HR проекты и инициативы резидентов особой экономической зоны «Технополис Москва». НИИМЭ представил на конкурс свой проект «Вход в профессию».

АО «НИИМЭ» - стало лауреатом первой независимой бизнес-премии Electronica, проводимой в рамках 23-й международной выставки электронных компонентов, модулей и комплектующих «ExpoElectronica 2021»и заняло первое место в номинации «За вклад в развитие технологий производства микро и наноэлектроники» в категории «Микро- и наноэлектроника».  Профессиональное сообщество, состоящее из руководителей, специалистов и экспертов ведущих  российских компаний, высоко оценило новейшие разработки НИИМЭ:  64-разрядный микроконтроллер на базе 64-битного ядра NE64RV и  прототип универсального 32-разрядного микроконтроллера с RISC-V ядром.

Специалисты АО «НИИМЭ» разработали программно-аппаратный комплекс (ПАК) «Звезда» для криптографической защиты информации в устройствах Интернета вещей. Микросхема представляет собой защищенный микроконтроллер для смарт-карт MIK51BC16D с операционной системой Trust 3.30i и интегрированными приложениями «Элемент безопасности конечного устройства (ЭБ)» и «Элемент безопасности криптосервера (ЭБКС)». Поставляется в корпусе LGA-40, в виде смарт-карты или SIM-карты.

АО «НИИМЭ» создало единственную в России физико-химическую аналитическую лабораторию (ФХАЛ) мирового уровня для проведения исследований в области контроля качества технологических сред. Лаборатория размещается в чистых производственных помещениях с классами чистоты 5-7 ИСО и оснащена всей необходимой инфраструктурой и современным аналитическим оборудованием: масс-спектрометром с индуктивно связанной плазмой, атомно-абсорбционным спектрометром с графитовым амортизатором, ионными хроматографами, автоматическими титраторами, хроматомасс-спектрометрами, системой очистки кислот, установкой доочистки деионизованной воды и др.  

НИИМЭ возглавил ТОП-35 организаций радиоэлектронной промышленности России по выручке от научной деятельности, разработки и конструирования продукции или ее составных частей, заняв первое место с показателем 2,9 млрд. руб. выручки. В рейтинге участвовало 69 организаций.

За разработки в области электронной компонентной базы распоряжением председателя Правительства РФ М.В. Мишустина "О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2020 года в области науки и техники" четверо сотрудников АО "НИИМЭ" были удостоены звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники" за 2020 год. Это генеральный директор НИИМЭ, академик РАН, академик-секретарь ОНИТ РАН, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ Г.Я. Красников, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО «НИИМЭ», член-корреспондент РАН, доктор технических наук Е.С. Горнев, заместитель генерального директора НИИМЭ В.И. Эннс, начальник лаборатории А.Н. Смирнов.

Осенью 2020 года НИИМЭ выступил соорганизатором ежегодного международного форума «Микроэлектроника – 2020», который собрал рекордное количество участников: более 1200 специалистов из 463 организаций.

Генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников вошел в совет по кадровым вопросам при президенте РФ по науке и образованию.

Специалисты НИИМЭ разработали 64-разрядный микроконтроллер на базе 64-битного ядра NE64RV и прототип универсального 32-разрядного микроконтроллера с RISC-V ядром для серийно выпускаемых устройств. Новые микроконтроллеры эффективно заменят импортные микросхемы в широком спектре встраиваемых систем, в том числе на объектах критической инфраструктуры.

По инициативе НИИМЭ и Префектуры Зеленограда улица, на которой расположено здание НИИМЭ, получила название в честь первого директора НИИМЭ и стала называться «улица Академика Валиева».

По инициативе ОНИТ РАН, возглавляемом  академиком-секретарем академиком РАН Г.Я. Красниковым, президиум Российской академии наук  учредил золотую медаль имени первого директора НИИМЭ академика К.А. Валиева –- награду для ученых за выдающиеся заслуги в области микро- и наноэлектроники.

Национальная система платежных карт (НСПК) сертифицировала разработанный АО «НИИМЭ» дуальный банковский чип MIKPay.MTD.D6 для совершения бесконтактных платежей в платежной системе «МИР».

Разработка АО «НИИМЭ» – микроконтроллер для банковских карт MIK51BC16D - одержала победу в номинации «Импортозамещение» отраслевой премии «Золотой Чип».

5 ноября на Общем собрании Российской академии наук генеральный директор АО «НИИМЭ», академик Г.Я. Красников был утвержден на должность академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ).

За разработки в области электронной компонентной базы распоряжением председателя Правительства РФ Д. А. Медведева "О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2019 года в области науки и техники" четверо сотрудников АО "НИИМЭ" во главе с генеральным директором АО «НИИМЭ», академиком Г.Я. Красниковым были удостоены звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники" за 2019 год.

АО «НИИМЭ» за счет применения новых технологических и схемотехнических решений разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. На основе новой ячейки был спроектирован блок энергонезависимой памяти EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) увеличенного объема для применения в крипто-защищенных микропроцессорах комплексных систем с повышенными требованиями к безопасности и защите данных, таких как государственные системы электронной идентификации личности, включая удостоверения личности, водительские удостоверения, биометрические паспорта, виды на жительство или полисы медицинского страхования. Также инженерами НИИМЭ была разработана новая операционная система, которая позволит заменить линейку ранее использовавшихся микроконтроллеров различного назначения универсальным чипом с увеличенным объемом памяти.

Разработанный АО «НИИМЭ» микроконтроллер MIK51AD144D для электронных документов и смарт-карт был отмечен наградой отраслевой премии «Золотой чип-2018» в номинации «Лучшее изделие ЭКБ 2017-2018 г.»

АО «НИИМЭ» заняло лидирующую позицию по объему выручки от осуществления научной деятельности (1,9 млрд. руб.) в рейтинге организаций радиоэлектронной отрасли России, составленном ЦНИИ «Электроника».

Разработанные в АО «НИИМЭ» интегральные микросхемы прошли сертификацию Министерства промышленности и торговли РФ на соответствие продукции промышленного производства первого уровня. Их применение в заграничных паспортах, универсальных электронных картах, водительских удостоверениях, картах платежной системы «МИР» и др. обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.

АО «НИИМЭ» стало полноправным членом Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (The Global Semiconductor Alliance, GSA).

Решением Президента РФ В.В.Путина генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Г.Я.Красников назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям. АО «НИИМЭ» стало головным предприятием приоритетного технологического направления по электронным технологиям. Это событие вывело деятельность компании на новый уровень, подчеркнуло значимость и высокий потенциал научных разработок: АО «НИИМЭ» стало головным предприятием электронной отрасли России.
Разработаны передовые изделия и технологии проектирования, в том числе, первый отечественный САПР проектирования изделий на ПЛИС.

АО "НИИМЭ" разработало новый радиочастотный чип для применения в транспортных приложениях, который стал применяться во всех проездных билетах транспортной сети г.Москвы (наземный и подземный транспорт, пригородные электрички), а также банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР».

В июне 2015 г. Президент РФ В.В. Путин вручил генеральному директору ОАО «НИИМЭ и Микрон», академику РАН Г.Я. Красникову Государственную премию Российской Федерации в области науки и технологий за 2014 год. Указом президента РФ десять сотрудников предприятия были награждены медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени и орденом Дружбы. Семь сотрудников компании стали лауреатами премии Правительства РФ в области науки и техники.

В сентябре 2015 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» и АО «НИИМЭ» стали резидентами Особой экономической зоны «Зеленоград».

В конце 2014 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» выпустил первые отечественные двухъядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ», разработанные ЗАО «МЦСТ» по технологии 90 нм.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» начало поставки микросхем для паспортно-визовых документов нового поколения (заграничные биопаспорта). На предприятии проводилось около 40 НИОКР, в рамках которых отрабатывалось производство 91 нового изделия. В декабре ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершило разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65нм, получив первые работающие транзисторы.

В феврале запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90 нм. Запуск новой линии позволил нарастить производственную мощность группы компаний в два раза - до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год. Совместно с ФУО «УЭК» разработан отечественный чип для «Универсальной Электронной Карты».

1 июля 2011 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» принял решение об учреждении открытого акционерного общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» – ОАО «НИИМЭ». Решение о воссоздании НИИМЭ было принято в связи с необходимостью создания уникальных продуктов уровня 180-90нм на заводе «Микрон» и развития собственных отечественных технологий производства интегральных схем уровня 90-65-45 нм и менее. Генеральным директором НИИМЭ назначен академик РАН Г.Я. Красников. В июне 2011 г. состоялось первое заседание Межведомственного совета главных конструкторов по электронной компонентной базе, созданного по поручению Правительства РФ под руководством академика Красникова.

Подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с технологическими нормами 90 нм от компании STMicroelectronics.

ГК «РОСНАНО» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе технологической площадки ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах 200 мм. ОАО «НИИМЭ и Микрон» подтвердило соответствие стандарту системы экологического менеджмента (СЭМ) ISO 14001:2004. Аудит проведен международной компанией Bureau Veritas Certification.

Г.Я. Красников, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» был избран академиком Российской Академии Наук и вошел в состав Совета руководителей Глобального Полупроводникового альянса из стран Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA Leadership Council GSA). Предприятие первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике. ОАО «НИИМЭ и Микрон» вступило в международную полупроводниковую торговую ассоциацию FSA, ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association). Было торжественно открыто производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм EEPROM. Россия совершила мощный рывок, сократив десятилетия технологического отставания от передовых стран-производителей электроники. В числе первых разработок по 180 нм технологии стали СБИС для электронных паспортов и социальных карт, БИС для бесконтактных билетов.

Подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и энергонезависимой памятью EEPROM. Открыто производство чип-модулей для контактных смарт-карт. В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии 180 нм EEPROM для российских дизайн-центров. В декабре начаты освоение полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и поставки билетов для Московского Метрополитена.

Предприятие удостоено общероссийской независимой премии «Золотой Чип». Открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов. А также основана компания «Смарт Карты» (с 2007 - «СИТРОНИКС Смарт Технологии»), вошедшая в бизнес-направление «СИТРОНИКС Микроэлектроника».

ОАО «НИИМЭ и Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышло на фондовый рынок. Позднее предприятие вошло в состав ОАО «СИТРОНИКС» (преобразованного из ОАО «Концерн «Научный Центр») как головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» (в дальнейшем «СИТРОНИКС Микроэлектроника»).

Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества. На Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций предприятие награждено двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов. Разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя.

На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».

Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572. Освоено более 400 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. Построена новая чистая комната, начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8мкм. Получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.

В мае 1997 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли.

Предприятие получило право самостоятельного выхода на зарубежные рынки. Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих.

13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала Акционерное Общество Открытого Типа «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон». Разработана технология БиКМОП, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

Учреждено совместное российско-китайское предприятие «Корона Семикондактор» для производства СБИС с разрешением элементов 0,8-1,2 мкм.
Создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

10 марта 1992 года приказом Министра промышленности Правительства России Г.Я. Красников назначен директором НИИМЭ и завода «Микрон».

1 октября 1991 года приказом Министерства электронной промышленности СССР Г.Я. Красников был утвержден в должности директора НИИМЭ и завода «Микрон».
Изготовлены образцы ЭСЛ матричных схем на 10.000 вентилей с быстродействием 0.15 на вентиль по ССТ-технологии, организованы поставки в Китай.
Разработана технология изготовления БиКМОП ИС.
Изготовлены опытные образцы 8-битного микропроцессорного комплекта на арсениде галлия.
Организован выпуск цифровых БИС на арсениде галлия. Освоены ТТЛШ и 32 разрядные КМОП-микропроцессоры.
Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572.

Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. Организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б (быстродействие 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле) в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ. Разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль. Освоены первые схемы семейства PAL и телевизионные ИС.

Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для построения высокопроизводительных ЭВМ и устройств радиоэлектронной аппаратуры, включая РЭА цифровой обработки сигналов. Осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера». Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой.

12 апреля 1983 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР ОАО НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение задания по разработке и созданию Единой системы ЭВМ.

Сдан в эксплуатацию 17-этажный административно-лабораторный корпус предприятия. Создано производство на основе отечественных «чистых комнат». Начат выпуск ИС на пластинах диаметров 75-100мм. На заводе изготовлена 100-миллионная микросхема.

Директором предприятия назначен А.Р. Назарьян. Под его руководством организован промышленный выпуск микросхем для комплектации ЭВМ для стран СЭВ, серии ЭВМ МС и зенитно-ракетной системы ПВО С-300. Первыми заказчиками интегральных схем и больших интегральных схем для цифровых систем стал Институт точной механики и вычислительной техники Академии Наук СССР. Работы велись при непосредственном участии академика В.С. Бурцева.

Разработанным в НИИМЭ микросхемам серии 155 присвоен государственный «Знак качества». К этому моменту в стране появилась первая мощная САПР БИС на базе отечественных ЭВМ БЭСМ-6. Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:

• сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2»;
• машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства;
• единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ;
• ЭВМ «Булат».

Сданы под монтаж все четыре секции завода «Микрон» площадью свыше 60 тыс. кв. м. Сорок сотрудников предприятия за успешное выполнение заданий 8-й пятилетки получили государственные награды. В том числе Орденом Трудового Красного Знамени был награжден будущий академик Академии Наук СССР К.А.Валиев.

Изготовлено и поставлено предприятиям различных отраслей более 3,5 млн. микросхем. В работе института возникли новые направления, появились новые задачи. НИИМЭ вошло в число ведущих электронных фирм мира. В начале 1970-х гг. в НИИМЭ и на заводе «Микрон» работало около 8 тыс. человек.

1 февраля 1967 г. приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИ организован завод «Микрон». Ежегодно в НИИМЭ разрабатывалось около 25 типов ИС.
Впервые в стране были разработаны и созданы:

• эпитаксиально-планарная технология и комплект оборудования для производства ИС;
• цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения;
• пластмассовый корпус ИС и пресс-композиция;
• технология изготовления кремниевых ИС на МОП транзисторах;
• кристаллы быстродействующих ИС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
• планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
• технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.

Межведомственная комиссия под руководством академика АН СССР А.А. Дородницына принимает решение о разработке и организации массового производства ЭВМ для всех отраслей народного хозяйства. Разработка цифровых интегральных схем для них поручена НИИМЭ.

Выпущенная НИИМЭ ИС на 2-х биполярных транзисторах стала первой зарегистрированной в реестре СССР микросхемой. В этом же году в НИИ был организован опытный цех по выпуску микросхем собственной разработки на пластинах кремния диаметром 25 мм. Объем производства транзисторов в первом квартале года достигал 100 000 штук.

25 января 1965 г. директором предприятия назначен К.А. Валиев (впоследствии академик Академии Наук СССР). На начало 1965 года в НИИ работало 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион». На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n-транзистора. В конце года было закончено строительство и принято в эксплуатацию собственное здание НИИМЭ площадью 25 тыс. кв. м.

Научно-исследовательский институт молекулярной электроники основан 9 марта 1964 года в соответствии с Приказом Госкомитета СССР по электронной технике. Основными задачами предприятия должны были стать разработка, опытное, а затем, серийное производство полупроводниковых интегральных микросхем. Открытое наименование «НИИ молекулярной электроники» (НИИМЭ) предприятие получило летом 1966 г.