Наши преимущества
Фундаментальные исследования
АО «НИИМЭ» занимается фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников. Специалисты института разрабатывают технологии многолучевой электронной литографии для производства современных СБИС и СБИС следующих поколений, исследуют и моделируют элементы энергонезависимой, сегнетоэлектрической и магниторезистивной памяти на новых физических принципах. В области функциональной электроники ученые НИИМЭ занимаются построением приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий, наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий, ведут исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров, разрабатывают технологии 3-D сборки для SiP-интеграции.
Разработка уникальных технологий
АО «НИИМЭ» осуществляет разработку семейств технологий с проектными нормами 65нм, 45нм и 28нм для широкого спектра приложений, а также технологии КНИ с проектными нормами 90-65 нм для интегральных схем, требующих повышенной стойкости, высокого быстродействия и малого энергопотребления, предназначенных для работы в экстремальных условиях, включая системы космического базирования. Также институт ведет разработку технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП для СБИС, работающих в СВЧ диапазоне и применяемых в приемо-передающих устройствах GPS/GLONASS, Bluetooth,Wi-Fi, WiMAX, LTE, оптоволоконных системах связи, цифровом телевидении, RFID, автомобильных радарах и пр.
Полный цикл разработки на отечественной схемотехнике
АО «НИИМЭ» обладает опытом в проектировании сложных цифровых, аналоговых и аналого-цифровых интегральных схем, микросхем памяти различных типов, интегральных схем управления питанием, RFID чипов, высоковольтных интегральных схем, а также программировании полузаказных интегральных схем. АО «НИИМЭ» владеет портфелем сложно-функциональных IP-блоков различного назначения собственной разработки, который включает библиотеки стандартных цифровых ячеек и элементов ввода-вывода, блоки памяти различного типа, аналоговые IP, IP интерфейсов, и т.д. Применение полностью отечественных IP-блоков обеспечивает необходимую информационно-технологическую безопасность при использовании элементной базы в доверенной технике.
Ведущая научная школа в области микроэлектроники
В НИИМЭ в разное время работали четыре академика и два член-корреспондента Академии Наук СССР и Российской Академии Наук, более 100 кандидатов и 40 докторов наук, более 50 лауреатов Государственной премии СССР, Совета Министров СССР и Премии правительства РФ, в том числе два Лауреата Ленинской премии. Всего за годы существования предприятия более 500 сотрудников были удостоены государственных наград. Сегодня исследованиями в области нано- и микроэлектроники занимаются более 400 специалистов, в том числе три академика РАН, один член-корреспондент РАН, 11 докторов наук и 33 кандидата наук.
Подготовка научных кадров
АО «НИИМЭ» основало и поддерживает базовые кафедры в профильных учебных заведениях: Московском физико-техническом институте (МФТИ) и Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Специалисты НИИМЭ осуществляют подготовку студентов, магистров и аспирантов по специальностям: микроэлектроника и твердотельная электроника и микросистемная техника; системы автоматизированного проектирования и технология и проектирование интегральных микросхем и др. Базовые кафедры в ведущих российских ВУЗах обеспечивают высокий кадровый потенциал института, что позволяет успешно развивать существующую продуктовую и технологическую линейку и осваивать принципиально новые направления микроэлектроники.
Базовые технологии производства
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий с использованием энергонезависимой памяти, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем. На АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
